ISSCC 2024（IEEE 國際固態電路會議）將于2月18日至22日在美國舊金山舉行，此前大會已確認，三星將介紹其最新的GDDR7內存技術，速率達到了37Gb/s，為16Gb模塊。

據TomsHardware報道，三星正在準備發布第9代V-NAND技術的產品，為1Tb（128GB）QLC 3D NAND閃存芯片，達到了280層，相比第8代V-NAND技術的236層有了進一步的提高。其存儲密度達到了28.5Gb mm²，將高于目前業界最高的長江存儲產品，后者的存儲密度為20.62Gb mm²。同時I/O速率達到了3.2 Gbps，相比第8代V-NAND技術的2.4 Gbps也要快得多。

作為全球最大的NAND閃存供應商，三星對其V-NAND技術的開發制定了宏偉的計劃。去年三星曾表示，2024年初將開始生產第9代V-NAND技術的產品，繼續沿用雙堆棧架構，擁有業界最高的層數。不過當時三星稱層數將超過300層，比現在的280層還要更高一些。如果條件允許，三星可能會提供容量為16TB的M.2 SSD，或者是單面8TB的產品。

據了解，三星在ISSCC 2024上將展示這款280層QLC 3D NAND閃存。此外，三星還打算展示新一代DDR5芯片，頻率達到了8000 MHz，為32Gbit模塊，采用了三星第五代10nm級工藝技術制造。